Die im Fotoresist frei entwickelten Leiterbahnen und Pads werden in den galvanischen Kupferbädern auf ca. 35µm aufgekupfert und mit einer 10µm dicken Zinnschicht versehen, die beim anschließenden Ätzen die Leiterbahnen und Pads schützt.
Die im Fotoresist frei entwickelten Leiterbahnen und Pads werden in den galvanischen Kupferbädern auf ca. 35µm aufgekupfert und mit einer 10µm dicken Zinnschicht versehen, die beim anschließenden Ätzen die Leiterbahnen und Pads schützt.